If you get stuck in repairing a defective appliance download this repair information for help. See below.
Good luck to the repair!
Please do not offer the downloaded file for sell only use it for personal usage!
- If you have any question about repairing write your question to the Message board. For this no need registration.
- Please take a look at the below related repair forum topics. May be help you to repair.
Warning!
If you are not familiar with electronics, do not attempt to repair!
You could suffer a fatal electrical shock! Instead, contact your nearest service center!
СХЕМЫ МУЛЬТИМЕТРОВ
На данный момент выпускается три основные модели цифровых мультиметров, это dt830, dt838, dt9208 и m932. Первой на наших рынках появилась модель dt830.
Цифровой мультиметр dt830
Постоянное напряжение:
Предел: 200мВ, разрешение: 100мкВ, погрешность: ±0,25%±2
Предел: 2В, разрешение: 1мВ, погрешность: ±0,5%±2
Предел: 20В, разрешение: 10мВ, погрешность: ±0,5%±2
Предел: 200В, разрешение: 100мВ, погрешность: ±0,5%±2
Предел: 1000В/600В, разрешение: 1В, погрешность: ±0,5%±2
Переменное напряжение:
Предел: 200В, разрешение: 100мВ, погрешность: ±1,2%±10
Предел: 750В/600В, разрешение: 1В, погрешность: ±1,2%±10
Частотный диапазон от 45Гц до 450Гц.
Постоянный ток:
Предел: 200мкА, разрешение: 100нА, погрешность: ±1,0%±2
Предел: 2000мкА, разрешение: 1мкА, погрешность: ±1,0%±2
Предел: 20мА, разрешение: 10мкА, погрешность: ±1,0%±2
Предел: 200мА, разрешение: 100мкА, погрешность: ±1,2%±2
Предел: 10А, разрешение: 10мА, погрешность: ±2,0%±2
Сопротивление:
Предел: 200Ом, разрешение: 0,1Ом, погрешность: ±0,8%±2
Предел: 2кОм, разрешение: 1Ом, погрешность: ±0,8%±2
Предел: 20кОм, разрешение: 10Ом, погрешность: ±0,8%±2
Предел: 200кОм, разрешение: 100Ом, погрешность: ±0,8%±2
Предел: 2000кОм, разрешение: 1кОм, погрешность: ±1,0%±2
Напряжение выхода на диапазонах: 2,8В
Тест транзистора hFE:
I, пост.: 10мкА, Uк-э: 2,8В±0,4В, диапазон измерения hFE: 0-1000
Тест диода
Ток теста 1,0мА±0,6мА, U теста 3,2В макс.
Полярность: автоматическая, Индикация перегрузки: «1» или «-1» на дисплее, Скорость измерений: 3 изм. в секунду, Питание: 9В. Цена – около 3уе.
Более совершенной и многофункциональной моделью цифрового мультиметра, стала dt838. Наряду с обычными возможностями, здесь добавили в строенный генератор синусоидального сигнала 1 кГц .
Цифровой мультиметр dt838
Количество измерений в секунду: 2
Постоянное напряжение U= 0,1мВ – 1000В
Переменное напряжение U
Постоянный ток I= 2мA – 10A
Диапазон частот по перем. току 40 – 400Гц
Сопротивление R 0,1 Ом – 2 МОм
Входное сопротивление R 1 МОм
Коэффициент усиления транзисторов h21 до 1000
Питание 9В, Крона ВЦ
Цена – около 5 уе.
Внутренняя и внешняя начинка практически идентична модели dt830. Аналогичной особенностью является и невысокая надёжность подвижных контактов.
На настоящее время одной из самых продвинутых моделей является цифровой мультиметр m932 . Особенности: автоматический выбор диапазонов и бесконтактный поиск статического электричества.
Цифровой мультиметр m932
Технические характеристики цифрового мультиметра m932 :
ПОСТОЯННОЕ НАПРЯЖЕНИЕ Пределы измерений 600 мВ; 6; 60; 600; 1000 В
Погрешность ± (0.5 % + 2 е.м.р.)
Макс. разрешение 0.1 мВ
Вх. сопротивление 7.8 МОм
Защита входа 1000 В
ПЕРЕМЕННОЕ НАПРЯЖЕНИЕ Пределы измерений 6; 60; 600; 1000 В
Погрешность ± (1.2 % + 3 е.м.р.)
Макс. разрешение 1 мВ
Полоса частот 50 – 60 Гц
Измерение среднеквадратичных значений – 50 – 60 Гц
Вх. импеданс 7.8 МОм
Защита входа 1000 В
ПОСТОЯННЫЙ ТОК Пределы измерений 6; 10 А
Погрешность ± (2.5 % + 5 е.м.р.)
Макс. разрешение 1 мА
Защита входа Предохранитель 10 А
ПЕРЕМЕННЫЙ ТОК Пределы измерений 6; 10 А
Погрешность ± (3 % + 5 е.м.р.)
Макс. разрешение 1 мА
Полоса частот 50 – 60 Гц
Измерение среднеквадратичных значений – 50 – 60 Гц
Защита входа Предохранитель 10 А
СОПРОТИВЛЕНИЕ Пределы измерений 600 Ом; 6; 60; 600 кОм; 6; 60 МОм
Погрешность ± (1 % + 2 е.м.р.)
Макс. разрешение 0.1 Ом
Защита входа 600 В
ЁМКОСТЬ Пределы измерений 40; 400 нФ; 4; 40; 400; 4000 мкФ
Погрешность ± (3 % + 5 е.м.р.)
Макс. разрешение 10 пФ
Защита входа 600 В
ЧАСТОТА Пределы измерений 10; 100; 1000 Гц; 10; 100; 1000 кГц; 10 МГц
Погрешность ± (1.2 % + 3 е.м.р.)
Макс. разрешение 0.001 Гц
Защита входа 600 В
КОЭФ. ЗАПОЛНЕНИЯ ИМПУЛЬСОВ Диапазон измерений 0.1 – 99.9 %
Погрешность ± (1.2 % + 2 е.м.р.)
Макс. разрешение 0.1 %
ТЕМПЕРАТУРА Диапазон измерений – -20°С – 760°С (-4°F – 1400°F)
Погрешность ± 5°С/9°F)
Макс. разрешение 1°С; 1°F
Защита входа 600 В
ИСПЫТАНИЕ P-N Макс. ток теста 0.3 мА
Напряжение теста 1 мВ
Защита входа 600 В
ПРОЗВОН ЦЕПИ Порог срабатывания
О полезной доработке цифровых тестеров можно прочитать здесь . А документацию на несколько десятков других моделей ищите в разделе схем.
01 мая 2014г | Раздел: Радио для дома
Здравствуйте уважаемые читатели сайта sesaga.ru. Продолжаем знакомиться с полупроводниковыми приборами и с этой статьи начнем разбираться с транзистором. В этой части мы познакомимся с устройством и маркировкой биполярных транзисторов.
Полупроводниковые транзисторы бывают двух видов: биполярные и полевые.
В отличие от полевых транзисторов биполярные получили наиболее широкое применение в радиоэлектронике, а чтобы эти транзисторы как-то отличать друг от друга, биполярные принято называть просто — транзисторами.
1. Устройство и обозначение биполярного транзистора.
Схематично биполярный транзистор можно представить в виде пластины полупроводника с чередующимися областями разной электропроводности, которые образуют два p-n перехода. Причем обе крайние области обладают электропроводностью одного типа, а средняя область электропроводностью другого типа, и где каждая из областей имеет свой контактный вывод.
Если в крайних областях полупроводника преобладает дырочная электропроводность, а в средней области электронная, то такой полупроводниковый прибор называют транзистором структуры p-n-p.
А если в крайних областях преобладает электронная электропроводность, а в средней дырочная, то такой транзистор имеет структуру n-p-n.
А теперь возьмем схематичную часть транзистора и прикроем любую крайнюю область, например, область коллектора, и посмотрим на результат: у нас остались открытыми область базы и эмиттера, то есть получился полупроводник с одним p-n переходом или обычный полупроводниковый диод. О диодах можно почитать здесь.
Если же мы прикроем область эмиттера, то останутся открытыми области базы и коллектора — и также получается диод.
Отсюда возникает вывод, что биполярный транзистор можно представить в виде двух диодов с одной общей областью, включенных навстречу друг другу. При этом общая (средняя) область называется базой, а примыкающие к базе области коллектором и эмиттером. Это и есть три электрода транзистора.
Примыкающие к базе области делают неодинаковыми: одну из областей изготавливают так, чтобы из нее наиболее эффективно происходил ввод (инжекция) носителей заряда в базу, а другую область делают таким-образом, чтобы в нее эффективно осуществлялся вывод (экстракция) носителей заряда из базы.
область транзистора, назначением которой является ввод (инжекция) носителей зарядов в базу называется эмиттером, и соответствующий p-n переход эмиттерным.
область транзистора, назначением которой является вывод (экстракция) носителей из базы, называется коллектором, и соответствующий p-n переход коллекторным.
То есть получается, что эмиттер вводит электрические заряды в базу, а коллектор их забирает.
Различие в обозначениях транзисторов разных структур на принципиальных схемах заключается лишь в направлении стрелки эмиттера: в p-n-p транзисторах она обращена в сторону базы, а в n-p-n транзисторах – от базы.
2. Технология изготовления биполярных транзисторов.
Технология изготовления транзисторов ни чем не отличается от технологии изготовления диодов. Еще в начальный период развития транзисторной техники биполярные транзисторы делали только из германия методом вплавления примесей, и такие транзисторы называют сплавными.
Берется кристалл германия и в него вплавляются кусочки индия.
Атомы индия диффузируют (проникают) в тело кристалла германия, образуя в нем две области p-типа – коллектор и эмиттер. Между этими областями остается очень тонкая (несколько микрон) прослойка полупроводника n-типа, которую именуют базой. А чтобы защитить кристалл от влияния света и механического воздействия его помещают в металлостеклянный, металлокерамический или пластмассовый корпус.
На картинке ниже показано схематическое устройство и конструкция сплавного транзистора, собранного на металлическом диске диаметром менее 10 мм. Сверху к этому диску приварен кристаллодержатель, являющийся внутренним выводом базы, а снизу диска – ее наружный проволочный вывод.
Внутренние выводы коллектора и эмиттера приварены к проводникам, которые впаяны в стеклянные изоляторы и служат внешними выводами этих электродов. Металлический колпак защищает прибор от влияния света и механических повреждений. Так устроены наиболее распространенные маломощные низкочастотные германиевые транзисторы из серии МП37 — МП42.
В обозначении буква «М» говорит, что корпус транзистора холодносварной, буква «П» — это первая буква слова «плоскостной», а цифры означают порядковый заводской номер транзистора. Как правило, после заводского номера ставят буквы А, Б, В, Г и т.д., указывающие на разновидность транзистора в данной серии, например, МП42Б.
С появлением новых технологий научились обрабатывать кристаллы кремния, и уже на его основе были созданы кремниевые транзисторы, получившие наиболее широкое применение в радиотехнике и на сегодняшний день практически полностью вытеснившие германиевые приборы.
Кремниевые транзисторы могут работать при более высоких температурах (до 125ºС), имеют меньшие обратные токи коллектора и эмиттера, а также более высокие пробивные напряжения.
Основным методом изготовления современных транзисторов является планарная технология, а транзисторы, выполненные по этой технологии, называют планарными. У таких транзисторов p-n переходы эмиттер-база и коллектор-база находятся в одной плоскости. Суть метода заключается в диффузии (вплавлении) в пластину исходного кремния примеси, которая может находиться в газообразной, жидкой или твердой фазе.
Как правило, коллектором транзистора, изготовленного по такой технологии, служит пластина исходного кремния, на поверхность которой вплавляют близко друг от друга два шарика примесных элементов. В процессе нагрева до строго определенной температуры происходит диффузия примесных элементов в пластину кремния.
При этом один шарик образует в пластине тонкую базовую область, а другой эмиттерную. В результате в пластине исходного кремния образуются два p-n перехода, образующие транзистор структуры p-n-p. По такой технологии изготавливают наиболее распространенные кремниевые транзисторы.
Также для изготовления транзисторных структур широко используются комбинированные методы: сплавление и диффузия или сочетание различных вариантов диффузии (двусторонняя, двойная односторонняя). Возможный пример такого транзистора: базовая область может быть диффузионная, а коллектор и эмиттер – сплавные.
Использование той или иной технологии при создании полупроводниковых приборов диктуется различными соображениями, связанными с техническими и экономическими показателями, а также их надежностью.
3. Маркировка биполярных транзисторов.
На сегодняшний день маркировка транзисторов, согласно которой их различают и выпускают на производствах, состоит из четырех элементов.
Например: ГТ109А, ГТ328, 1Т310В, КТ203Б, КТ817А, 2Т903В.
Первый элемент — буква Г, К, А или цифра 1, 2, 3 – характеризует полупроводниковый материал и температурные условия работы транзистора.
1. Буква Г или цифра 1 присваивается германиевым транзисторам;
2. Буква К или цифра 2 присваивается кремниевым транзисторам;
3. Буква А или цифра 3 присваивается транзисторам, полупроводниковым материалом которых служит арсенид галлия.
Цифра, стоящая вместо буквы, указывает на то, что данный транзистор может работать при повышенных температурах: германий – выше 60ºС, а кремний – выше 85ºС.
Второй элемент – буква Т от начального слова «транзистор».
Третий элемент – трехзначное число от 101 до 999 – указывает порядковый заводской номер разработки и назначение транзистора. Эти параметры даны в справочнике по транзисторам.
Четвертый элемент – буква от А до К – указывает разновидность транзисторов данной серии.
Однако до сих пор еще можно встретить транзисторы, на которых стоит более ранняя система обозначения, например, П27, П213, П401, П416, МП39 и т.д. Такие транзисторы выпускались еще в 60 — 70-х годах до введения современной маркировки полупроводниковых приборов. Пусть эти транзисторы устарели, но они все еще пользуются популярностью и применяются в радиолюбительских схемах.
В рамках этой части статьи мы рассмотрели лишь общие методы изготовления транзисторных структур, чтобы начинающему радиолюбителю было легче понять внутреннее устройство транзистора.
На этом мы закончим, а в следующей части проведем несколько опытов и на их основе сделаем практические выводы о работе биполярного транзистора.
Удачи!
1. Борисов В.Г — Юный радиолюбитель. 1985г.
2. Пасынков В.В., Чиркин Л.К — Полупроводниковые приборы: Учеб. для вузов по спец. «Полупроводники и диэлектрики» и «Полупроводниковые и микроэлектронные приборы» — 4-е изд. перераб. и доп. 1987г.